FEEC/CPG - Caderno de Horário (Oferecimento de Disciplinas) - CPG
Caderno Horário:
IE521 - Tecnologia de Circuitos Integrados | Technology for Integrated Circuits | Tecnología de Circuitos Integrados
Turma: A - Período: 2/2026 - Tipo Período: 2o. período letivo - Disciplina: 4 créditos.
Ementa: Microcircuitos dedicados, semidedicados e de uso geral. Tecnologia bipolar, versões NMOS e CMOS. Modelamento dos processos de epitaxia, oxidação, difusão, processos com plasma, implantação de íons, fotolitografia, geração de máscaras. Controle e otimização. Testes e avaliação de controle e otimização. Testes e avaliação de confiabilidade.
Bibliografia: i) A. B. Glaser, G. E. Subak: Integrated Circuit Engineering design, fabrication and applications; Sharpe Addison Wesley Publishing Co., 1977; ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000. ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000.
Conteudo Programático: 1.Evolução da Microeletrônica 2a. Processo nMOS – porta Si-poli 2b. Processo MOS – porta Al 3b. Tecnologia CMOS em Si 4. Conceitos de cristalografia 5. Obtenção de cristais de Si e de lâminas 6. Crescimento Epitaxial 7.Oxidação Térmica 7.Oxidação Térmica Modelos de transistores MOS + 3a. Escalamento MOS 3a. Escalamento MOS Simulação & exercício software TCAD 8. Difusão de dopantes 9.Implantação Iônica 10. Deposição de Filmes Finos por CVD 11.Deposição de Filmes Finos por PVD 12. Física de Plasma 13. Corrosão por Plasma/Fotolitografia 14. Processos Úmidos e Limpeza 15. Tecnologia “Back-End
Conteudo Programático em Inglês: 1. Evolution of Microelectronics 2a. nMOS Process – Si-poly gate 2b. MOS Process – Al gate 3b. CMOS Technology in Si 4. Crystallography Concepts 5. Obtaining Si Crystals and Laminates 6. Epitaxial Growth 7. Thermal Oxidation MOS Transistor Models 3a. MOS Scaling TCAD Simulation and Exercise Software 8. Dopant Diffusion 9. Ion Implantation 10. Thin Film Deposition by CVD 11. Thin Film Deposition by PVD 12. Plasma Physics 13. Plasma Etching/Photolithography 14. Wet Processes and Cleaning 15. “Back-End” Technolog
Conteudo Programático em Espanhol: 1. Evolución de la microelectrónica 2a. Proceso nMOS – Puerta de Si-poli 2b. Proceso MOS – Puerta de Al 3b. Tecnología CMOS en Si 4. Conceptos de cristalografía 5. Obtención de cristales y láminas de Si 6. Crecimiento epitaxial 7. Oxidación térmica Modelos de transistores MOS 3a. Escalado MOSSoftware de simulación y ejercicios TCAD 8. Difusión de dopantes 9. Implantación de iones 10. Deposición de película delgada por CVD 11. Deposición de película delgada por PVD 12. Física del plasma 13. Grabado de plasma/fotolitografía 14. Procesos húmedos y limpieza 15. Tecnología “back-end"
Forma Avaliação: Média aritmética de três provas escritas + 1 lista de exercícios de simulações de transistores.
Ofertar para Graduação:
Sim Número Limite de Alunos de Graduação:
10
Aceita Estudante Especial:
Sim
Número de Alunos Total:
de 5 até 10
Mais informações:
Docente(s):
- José Alexandre Diniz ( Matrícula: 283924 - e-mail: jadiniz@unicamp.br - Ramal: 13707 )
- Leandro Tiago Manera ( Matrícula: 299446 - e-mail: manera@dsif.fee.unicamp.br - Ramal: 13707 )
- Marcos Vinicius Puydinger dos Santos ( Matrícula: 321546 - e-mail: mpuyding@unicamp.br - Ramal: 13742 )
Horário(s):
- terça-feira das 10:00 às 12:00
- quinta-feira das 10:00 às 12:00
Sala(s):
- FE21
Turma(s):
- A