IE521 - Tecnologia de Circuitos Integrados
Turma: A -
Período: 2/2025 -
Tipo Período: 2o. período letivo -
Disciplina: 4 créditos.
Ementa: Microcircuitos dedicados, semidedicados e de uso geral. Tecnologia bipolar, versões NMOS e CMOS. Modelamento dos processos de epitaxia, oxidação, difusão, processos com plasma, implantação de íons, fotolitografia, geração de máscaras. Controle e otimização. Testes e avaliação de controle e otimização. Testes e avaliação de confiabilidade.
Bibliografia: i) A. B. Glaser, G. E. Subak: Integrated Circuit Engineering design, fabrication and applications; Sharpe Addison Wesley Publishing Co., 1977; ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000.
ii) S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, 1986; iii) J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling; Prentice Hall, 2000.
Forma Avaliação: Média aritmética de três provas escritas + 1 lista de exercícios de simulações de transistores.
Ofertar para Graduação:
Sim Número Limite de Alunos de Graduação:
10
Aceita Estudante Especial:
Sim
Número de Alunos Total:
de 5 até 20