IE326 - Tópicos Especiais em Microeletrônica II
Turma: N -
Período: 1/2025 -
Tipo Período: 1o. período letivo -
Disciplina: 4 créditos.
Tema: Fabricação e Caracterização de Dispositivos MOS.
Ementa: Revisão de teoria de semicondutores e de dispositivos MOS; descrição dos processos de fabricação, projeto de dispositivos e blocos básicos de CI´s MOS, fabricação de um chip teste contendo dispositivos isolados e um circuito básico, medidas de caracterização de materiais, processos, dispositivos e do circuito fabricado
Bibliografia: Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS. ; S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 ? Process Technology, Lattice Press, 1986.; J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology ? Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall, 2000.; S. A. Campbell; The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press, 1996.; null
Forma Avaliação: Esta disciplina pode ter a seguinte sigla: IE326, denominada "Tópicos Especiais em Microeletrônica II".
A Avaliação a ser empregada no curso exigirá: presença, participação, relatório e arguição final individual.
Ofertar para Graduação:
Sim Número Limite de Alunos de Graduação:
5
Aceita Estudante Especial:
Sim
Número de Alunos Total:
de 5 até 15